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CORE STRENGTHS

技術傳承正統

研發積淀深厚

行業人脈資源豐富

核心優勢

參與制定寬禁帶半導體功率器件的國際標準,并握有一票投票權。

2019年成為JC-70號標準委員會的主要成員公司之一

派恩杰已布局知識產權24項
其中已授權8項,另掌握碳化硅與氮化鎵的全套工藝菜單、篩選測試方案等重要技術秘密

派恩杰技術工藝競爭力

公司已布局核心知識產權24項

其中已授權8項,另掌握碳化硅與氮化鎵的器件全套工藝菜單、篩選測試方案等重要技術秘密

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功率半導體市場預計到2022年達到 每年350億美金(約2800億人民幣)其市場增長速度,超過全球GDP增長。

市場潛力和規模

以碳化硅為代表的第三代半導體器件是電力電子領域革命性的成果

市場應用領域

“技術傳承正統,研發積淀深厚,行業人脈資源豐富
具有碳化硅肖特基二極管、碳化硅MOS管和氮化鎵晶體管產品量產經驗,掌握核心技術秘密”
“具有第三代半導體營銷渠道和銷售組織,和全產業鏈布局和操盤能力。”

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團隊優勢

技術團隊項目有領先的產品技術和持續研發能力。團隊成員所擁有的產品技術領先國內3-5年,其中碳化硅MOS技術填補國內空白。技術團隊本身具有技術知識儲備,能夠根據市場客戶需求完成產品的迭代設計和定制開發。銷售團隊有精準的客戶資源和完整的市場銷售渠道。銷售團隊成員本身就已經充分掌握國內和亞太區域客戶資源,包括國際龍頭競爭對手的客戶資源,另有從渠道總代理、區域分銷商到終端客戶的完成推廣渠道。 運營團隊有量產制造經驗和完善組織架構履歷。項目運營團隊均來自上市同行企業,并在國內外同類企業工作多年,核心人員有著10年以上半導體行業工作和管理經驗。在行業內有著廣泛的人脈資源,有潛在人員儲備。

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派恩杰產品

派恩杰第一代650V氮化鎵HEMT器件經過第三方對比測試,樣品數據對標英飛凌,我司的產品頻率特性可提高100%,原材料成本低10%,綜合損耗低70%,綜合良率水平90%以上,具備量產條件。第二代產品聯合開發,設計方案對標Navitas,進行中。 碳化硅MOS產品設計性能經過實測,主要參數指標符合設計要求,該產品是使用6英寸可量產的Gen3水平碳化硅MOS技術,填補國內空白,樣品已開始送樣。預計2020年一季度推向市場。針對車用市場開發的1200V大電流系列產品已開始設計流片,預計2020年第三季度末推向市場。

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