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2021中國智造「金長城」獎揭曉,派恩杰半導體獲評“年度最具成長性企業”

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2021年10月12日,《21世紀經濟報道》主辦的“2021中國智造業年會”會上,揭曉了“2021中國智造「金長城」獎”的評選結果。派恩杰半導體(杭州)有限公司(以下簡稱派恩杰半導體)憑借全球領先的SiC功率器件技術喜獲“「金長城」獎-年度最具成長性企業”殊榮。

 

 

 

恩杰喜獲”「金長城」獎-年度最具成長性企業

 

正如派恩杰半導體總裁黃興先生在本屆中國制造業年會-半導體產業的顛覆式創新圓桌討論所分享的那樣,中國在以硅(Si)為代表的第一代半導體材料,與國際企業的差距最大,到砷化鎵(GaAs)代表的第二代半導體材料已經有突破的跡象,而在以氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)為代表的第三代半導體材料方面則有追趕和超車的良機。派恩杰半導體剛好趕上了這一時機,潛心研發,開發出了可以與國際企業一爭高下的高性能SiC功率器件產品。這些產品將應用于服務器及數據中心電源、新能源汽車、智能電網、5G物聯網、工業電機、逆變器等領域,目前已有一些全球一線客戶導入使用。派恩杰半導體表示,將會持續投入和加強自主研發能力,不斷帶給客戶先進SiC技術和方案,幫助客戶創新產品、改善產品、提升產品。

 

2021「金長城」智造業競爭力研究榮譽榜隆重發布
https://m.21jingji.com/article/20211013/herald/e0152f433ed0e6ea22c274e0f804c580.html
 

黃興博士

派恩杰 總裁 &技術總監

美國北卡州立大學博士,師承Dr. B. Jayant Baliga(IEEE終身會員,美國科學院院士,IGBT發明者,奧巴馬授予國家技術創新獎章)與Dr. Alex Q. Huang(IEEE Fellow, 發射極關斷晶閘管(ETO)的發明者)。10余年碳化硅與氮化鎵功率器件經驗,曾參與美國自然科學基金委FREEDM項目、美國能源部Power America項目,曾任職于Qorvo Inc.、聯合碳化硅。累計發布10余篇科技論文,超過350次引用,20余項專利發明。

 

 

 


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2021年10月15日 11:07
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